Disque dur MSI SPATIUM M570 SSD 1 To PCIe 5.0 Gen5x4 2280 NVMe M.2 Dissipateur thermique

De l'univers MSI vient le stockage avec des vitesses fulgurantes et des performances incroyables. Faites passer votre système au niveau supérieur avec SPATIUM.

Caractéristiques:

• SURALIMENTÉ AVEC GEN 5 : soyez enthousiasmé par les performances de stockage de nouvelle génération qui associent la dernière technologie de contrôleur PCIe Gen 5 et le flash NAND 3D de nouvelle génération, offrant des vitesses de lecture/écriture jusqu'à 1,5 fois plus rapides par rapport aux SSD de la génération précédente.
• Un besoin de rapidité ! Optimisé pour l'interface PCIe Gen5, le SSD SPATIUM M570 atteint des vitesses de lecture/écriture allant jusqu'à 10 000/10 000 Mo/s, permettant un transfert de données rapide et des temps de chargement de jeux plus courts.
• Dissipateur thermique en aluminium : le SPATIUM M570 possède un magnifique dissipateur thermique en aluminium de couleur bronze avec une structure à ailettes empilées qui dissipe efficacement la chaleur et permet au SSD de maintenir des performances maximales sous de lourdes charges.
• Exploitez un potentiel illimité : les capacités intégrées de sécurité des données et de correction d'erreurs prolongent l'endurance et la longévité du stockage flash NAND, vous permettant de battre des records dans les jeux ou de faire passer votre talent au niveau supérieur.
• CONÇUS POUR GAGNER : Avec une attitude de joueur, les SSD SPATIUM optimisés pour une bande passante et des performances hautes performances vous permettent d'attendre moins lors du chargement des jeux et de jouer pour gagner avec une latence minimale.

Spécifications du MSI SPATIUM M570

• Nom du modèle SPATIUM M570 PCIe 5.0 NVMe M.2 HS
• Capacité 1 To
• Contrôleur PHISON E26
• Mémoire Flash NAND 3D
• Cache DRAM LPDDR4 de 2 Go
• Facteur de forme M.2 2280
• Interface PCIe Gen5x4, NVMe 2.0
• Compatibilité PCIe Gen5/Gen4/Gen3/Gen2/Gen1
• Dimensions
• 80,40 mm (L) x 23,00 mm (L) x 20,40 mm (H) (avec dissipateur thermique)
• Lecture séquentielle jusqu'à (Mo/s) 9500
• Écriture séquentielle jusqu'à (Mo/s) 8 500
• Lecture aléatoire de 4 Ko jusqu'à (IOPS) 1 300 000
• Écriture aléatoire de 4 Ko jusqu'à (IOPS) 1 500 000
• Puissance de fonctionnement maximale (W) 10
• Températures de fonctionnement 0°C – 70°C
• Températures de stockage -40°C – 85°C
• Téraoctets écrits (TBW) 700
• Temps moyen entre pannes
• (MTBF) Jusqu'à 1 600 000 heures
• Garantie limitée de 5 ans ou couverture pour un TBW maximum comme indiqué, selon la première éventualité.
• Fonctionnalités avancées
• TRIM (optimisation des performances, prise en charge du système d'exploitation requise)
• SMART (technologie d'auto-surveillance, d'analyse et de reporting)
• Algorithme ECC LDPC (contrôle de parité à faible densité)
• Protection de bout en bout du chemin de données APST (Autonomous Power State Transition)