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Mémoire RAM Goodram GR2666S464L19S/16G SO-DIMM DDR4 2666MHz 16GB CL19
P/N: GR2666S464L19S/16G | Cod. Article: 10383011
36,99€
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À propos du produit
Les modules de mémoire DDR4 sont conçus pour les dernières plates-formes Intel. La génération DDR4 est actuellement le format le plus populaire parmi tous les modules de mémoire, choisis par les utilisateurs.
Caractéristiques:
- Prêt à jouer : la mémoire GOODRAM DDR4 est disponible en configurations simple et double canal (8, 16, 32 Go). La fréquence d'horloge fait de GOODRAM un excellent choix, quel que soit le type de tâche à accomplir.
- Qualité la plus élevée = garantie à vie : tous les modules de mémoire GOODRAM sont fabriqués en Pologne (Europe) à partir de composants hautement sélectionnés et subissent des tests de qualité en plusieurs étapes avant de se lancer dans un voyage vers les magasins de détail. Le service de contrôle qualité s'assure que chaque module est parfaitement préparé pour de nombreuses années d'utilisation, c'est pourquoi nous garantissons à nos utilisateurs une garantie à vie.
- Fonctionnement économe en énergie et stable : par rapport aux solutions précédentes, les modules DDR4 ont une tension d'alimentation de 1,2 V, ce qui permet de réduire les coûts d'exploitation et d'augmenter les économies d'énergie jusqu'à 40 %. La conception de PCB différente de la DDR4 par rapport aux générations précédentes augmente considérablement la résistance aux dommages mécaniques, ainsi qu'aux pointes de tension à l'intérieur de l'appareil. De ce fait, les modules DDR4 se caractérisent par leur fiabilité et leur stabilité même dans les conditions de fonctionnement les plus défavorables.
Caractéristiques:
- Caractéristiques
- Type de mémoire tampon : non enregistrée (sans tampon)
- Latence CAS : 19
- Mémoire interne : 16 Go
- Disposition de la mémoire (modules x taille) : 1 x 16 Go
- Type de mémoire interne : DDR4
- Vitesse d'horloge mémoire : 2666 MHz
- Composant pour : ordinateur portable
- Facteur de forme de la mémoire : SO-DIMM 260 broches
- CCE : Non
- Évaluation de la mémoire : 1
- Tension mémoire : 1,2 V
- Configuration des modules : 1024M x 8
- Emballage
- Type d'emballage : Blister
Sécurité du produit
Avis
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S
Santi1979Avis le plus utileHace 11 mesesProducto adecuado y en funcionamiento en un antiguo portátil.
Inconvénients
- Ninguno
R
RBXProgAvis vérifié
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