Samsung SSD 850 EVO M.2 1TB

La exclusiva e innovadora arquitectura Samsung 3D V-NAND supone una revolución en el mundo de las memorias flash en términos de densidad, rendimiento y resistencia. Las memorias 3D V-NAND se fabrican apilando verticalmente 32 capas de celdas. Así, se consigue mayor densidad y rendimiento con un menor consumo energético.

Características:

• Trabaja más rápido gracias a TurboWrite
  La tecnología TurboWrite te ofrece una óptima experiencia de usuario gracias a su gran rendimiento de lectura / escritura. La unidad SSD 850 EVO de Samsung proporciona una velocidad secuencial de lectura de 540 MB/s y de escritura de 520 MB/s, las más altas dentro de su categoría. Además, mejorará el rendimiento general en todos los QD de tu ordenador. Disfruta de una experiencia de usuario un 10% más satisfactoria que con la anterior SSD 840 EVO, así como un 1.9x más rápida que en los anteriores modelos de 120 / 250 GB.
• Potencia y rendimiento
  Gracias al software Magician de Samsung es posible activar el modo RAPID, que permite utilizar como memoria caché hasta un 25% de la memoria DRAM que no está siendo utilizada, Gracias al modo RAPID es posible doblar las velocidades de procesado
• Resistencia garantizada
  Las unidades SSD 850 EVO duplican el TBW de la anterior generación 840 EVO. Proporcionan un rendimiento constante mejorado de hasta el 30% a pesar de la degradación, demostrando ser una de las unidades SSD más fiables del mercado. Cuentan con 5 años de garantía.
• Trabaja por más tiempo
  Trabaja en tu portátil durante mucho más tiempo. La unidad SSD 850 EVO es un 25% más eficiente que el modelo 840 EVO anterior durante el proceso de escritura gracias a que la nueva memoria flash 3D V-NAND consume la mitad de energía que la anterior memoria Planar 2D NAND.
• Máxima versatilidad
  La unidad SSD 850 EVO mSATA de Samsung te ofrece toda la versatilidad que necesites, ya que podrás colocarlo en prácticamente cualquier dispositivo sin importar el tamaño del slot y el conector que utilice.
• Protege tus datos con una encriptación más segura
  La unidad SSD 850 EVO cuenta con un motor de encriptado basado en hardware AES de 256 bits que mantendrá a salvo tu información sin reducir el rendimiento. Además, es totalmente compatible con Microsoft e-drive IEEE1667, por lo que tu información estará siempre segura.
• Olvídate del sobrecalentamiento
  La protección Dynamic Thermal Guard de la unidad SSD 850 EVO mantiene la temperatura óptima para proteger la integridad de tus datos. La temperatura disminuye si se detecta un sobrecalentamiento, asegurando así la máxima protección de tu equipo.
• Instalación sencilla
  Migra todos tus datos y aplicaciones desde tu disco duro a la nueva unidad SSD 850 EVO en tres sencillos pasos. Gracias al software Samsung Magician optimizarás y gestionarás tu sistema de la forma más eficiente.
• Componentes de la mayor calidad
  Samsung es el único fabricante de unidades SSD que diseña y fabrica directamente todos los componentes. Así, puede garantizar que sus tarjetas ofrecen un increíble rendimiento y eliminan el riesgo de sufrir problemas de compatibilidad.

Especificaciones Samsung SSD 850 EVO M.2 1TB:

• Características generales
  • Aplicación Client PCs
  • Capacidad 1TB * El espacio disponible real puede ser menor
  • Formato M.2
  • Interfaz SATA 6Gb/s, compatible con SATA 3Gb/s & SATA 1.5Gb/s
  • Dimensiones Max 80.15 x Max 22.15 x Max 2.38 (mm)
  • Peso Max 7g
  • Memoria de almacenamiento Samsung 32 layer 3D V-NAND
  • Controller Samsung MGX Controller
  • Memoria caché Samsung 512 MB Low Power DDR3 SDRAM
• Características especiales
  • Soporte TRIM TRIM
  • Soporte S.M.A.R.T S.M.A.R.T
  • GC (Garbage Collection) Auto Garbage Collection
  • Encriptación AES 256 bit (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667
  • WWN World Wide Name
  • Soporte Modo Suspensión en dispositivo
• Rendimiento
  • Lectura secuencial Hasta 540 MB/seg en lectura secuencial*
  • Escritura secuencial Hasta 500 MB/seg en escritura secuencial*
  • Lectura aleatoria (4KB, QD32) Hasta 97,000 IOPS en lectura aleatoria*
  • Escritura aleatoria (4KB, QD32) Hasta 89,000 IOPS en escritura aleatoria*
  • Lectura aleatoria (4KB, QD1) Hasta 10,000 IOPS en lectura aleatoria*
  • Escritura aleatoria (4KB, QD1) Hasta 40,000 IOPS en escritura aleatoria*
• Entorno
  • Consumo energético medio *Normal: 3.5 W *Máximo 4.7 W (Burst mode)*
  • Consumo energético (Idle) Max. 50 mWatts * El consumo real puede variar en función del hardware y la configuración
  • Voltaje soportado 3.3V ± 5%
  • Durabilidad (MTBF) 1.5 Millones de horas (MTBF)
  • Temperatura operativa 0 - 70 ?
  • Golpes 1,500G & 0.5ms
• * El rendimiento puede variar en función del hardware y la configuración